我实验室研究生成果在国际知名期刊以封面论文发表

　　该研究工作采用有机前驱体催化热解技术合成出SiC单晶纳米线，并通过对其表面进行均匀修饰，达到了提高电子发射点、降低功函数和强化局域场强增强效应的系统强化效果。试验结果表明，其开启电场降低比未经修饰的SiC纳米线降低1倍左右，突破了过去开启电场过大导致的应用限制。此项研究成果将为具有综合优异电子发射性能的场发射阴极材料的研发及其器件化应用提供有益借鉴和参考；在显示器、X射线管、电子发射枪等真空电子领域，具有诱人的潜在应用前景。